Descripción general

La serie de empaques de circuitos integrados de tungsteno y cobre (W-Cu) NEWLIFE está desarrollada específicamente para chips semiconductores de potencia, amplificadores de RF, módulos de microondas y portadores de dispositivos herméticos que requieren un rendimiento térmico y mecánico extremadamente estable. A diferencia de las placas de cobre convencionales o las laminaciones compuestas, los materiales W-Cu fabricados con la plataforma PM/MIM de alta-precisión de NEWLIFE proporcionan una combinación de capacidad de propagación de calor-, rigidez estructural y capacidad de ajuste de CTE que es esencial para las arquitecturas modernas de circuitos integrados de alta-densidad.

Estos sustratos funcionan como interfaz térmica y base estructural. Su fase de tungsteno proporciona una baja deformación y un coeficiente de expansión controlable, mientras que la fase de cobre garantiza una disipación eficiente del calor de los chips activos. La confiabilidad del dispositivo aumenta significativamente cuando el CTE coincide estrechamente con Si, SiC, GaN o GaAs; esto minimiza la acumulación de tensión alrededor de las uniones de soldadura y las interfaces de unión, especialmente en condiciones de ciclos de alta-temperatura. El equipo de materiales de NEWLIFE ajusta las proporciones de polvo y los parámetros de sinterización para ofrecer rangos de CTE precisos, lo que permite a los diseñadores seleccionar un sustrato optimizado para el material de su matriz específico.

Tecnología de fabricación

Las piezas de embalaje de W–Cu IC se forman mediante una combinación de prensado a alta-presión, conformación MIM avanzada y sinterización de precisión. Estos procesos permiten la construcción de características que el mecanizado tradicional no puede lograr de manera económica, como micro-canales para un flujo de calor dirigido, regiones escalonadas para la integración de múltiples-troqueles o estructuras de cavidades para la alineación hermética de componentes. Debido a que la mayor precisión dimensional se logra en la etapa de moldeo, el post-mecanizado es mínimo, lo que hace que los componentes sean adecuados para la producción de semiconductores de gran-volumen y{7}}sensible a los costos.
La uniformidad microestructural es una ventaja fundamental. El proceso de pulvimetalurgia produce estructuras de tungsteno estrechamente unidas y rellenas de cobre distribuido uniformemente, eliminando la densidad inconsistente o los huecos comunes en los compuestos fundidos. Esto da como resultado una mayor integridad de las juntas, una reducción de la deformación y una expansión térmica predecible en todo el sustrato.

Beneficios de rendimiento

Los dispositivos equipados con sustratos NEWLIFE W–Cu experimentan:

Fiabilidad térmica mejorada gracias a la alta conductividad de la fase-de cobre
Fuerte soporte mecánico bajo ciclo térmico continuo.
Resistencia térmica reducida entre el troquel y el disipador de calor.
Rendimiento eléctrico estable en módulos de RF y microondas.
Excelente compatibilidad con metalizaciones comunes como Ni/Au, Ag, Cu o ENEPIG.

La alta densidad del material garantiza la estabilidad dimensional, lo cual es fundamental para los ensamblajes de circuitos integrados de estricta-tolerancia y los procesos automatizados de fijación de troqueles-.

Escenarios de aplicación

Estos sustratos de embalaje se integran en:

Dispositivos de conmutación de alta-potencia utilizados en sistemas de energía industriales
Portadores de transistores de RF para componentes de estaciones base inalámbricas
Módulos de microondas herméticos de grado-de defensa
Etapas de potencia de SiC y GaN de alta-temperatura
Circuitos híbridos de precisión y paquetes microelectrónicos sellados.

La serie de envases NEWLIFE W–Cu IC ofrece a los diseñadores un sustrato altamente confiable, térmicamente eficiente y rentable-diseñado para módulos semiconductores de próxima-generación.